j9:矽茂半导体请求电容或电感封装结构及其封装办法专利处理了传统工艺中直接焊接在电容或电感两头锡层上焊点虚焊易掉落、可靠性低的问题

  国家知识产权局信息数据显现，湖南省矽茂半导体有限责任公司请求一项名为“一种电容或电感封装结构及其封装办法”的专利，公开号CN121922484A，请求日期为2026年2月。

  专利摘要显现，本发明供给一种电容或电感封装结构及其封装办法，归于电子元器件封装技术领域。所述结构为封装成塑封体后带两个独立导电端子的制品，具有电容或电感功用。电容或电感两头电极与对应导电端子焊接，每个导电端子上与电容或电感电极焊接衔接且具有镀银层的区域显露于塑封体。所描绘的办法包含制备镀银层、焊接及塑封等过程。本发明经过独立端子规划、镀银焊接区及全体塑封绝缘，处理了传统工艺中直接焊接在电容或电感两头锡层上，焊点虚焊，易掉落、可靠性低的问题，处理了封装模组的中电容和封装结构基岛的绝缘性和焊接可靠性,然后可到达常常运用的稳定性。

  天眼查资料显现，湖南省矽茂半导体有限责任公司，成立于2019年，坐落衡阳市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8000万人民币。经过天眼查大数据分析，湖南省矽茂半导体有限责任公司参加招投标项目4次，专利信息8条，此外企业还具有行政许可1个。

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